同步整流二极管快充芯片|快充芯片|钲铭科

                    同步整流芯片（如QC2.0、QC3.0方案）

   高通QuickCharge采用高压快充标准。得益于在手机处理器端的统治级地位，目前有**过100种智能手机都采用高通Quick Charge的方案。小米4C，小米note，三星等主流品牌均在采用此充电技术。这与目前高端智能手机所采用的平台有相当关系。另外，这种技术相对简单，实现起来相对容易，成本提升不明显，市场较容易接受。高通QC充电技术有两个版本，分别是QC2.0和QC3.0，现在QC3.0的手机还很少，普遍还是QC2.0。QC3.0采用高压快充技术，通过3.6~20V动态可调节电压和max3A电流以实现max36 W充电功率。同时，QC 3.0采用了电压智慧协商(INOV)技术，可让受电装置自行判断，以较适合的功率级别进行充电，将能源转换效率max化。

    深圳市钲铭科电子有限公司成立于2001年7月，是一家专业从事集成电路设计、委托加工及销售的**企业。公司专注于同步整流，快充芯片，高压线性，电源管理、LED照明芯片的研发。经过多年的经验积累和沉淀，得到了客户的高度评价和信任。

详解同步整流技术在正激变换器中的应用

　　2.1 栅较电荷保持驱动方法的基本原理

　　对于本文选用的 绕组复位正激变换器，其传统传统自驱型同步整流的方法如图2所示，DK5V快充芯片，在磁复位结束后，变压器的电压将为零，并且会保持在零直到下一周期开始，这样续流管将没 有电压提供驱动，电流会从其体二极管中流过，而其体二极管正向导通电压高，反向恢复特性差，导通损耗非常大，这是传统自驱同步整流的主要缺点，因此提出了 采用栅较电荷保持的同步整流方法。

　　2.2 栅较电荷保持驱动正激变换器

　　利用栅较电荷保持的驱动方法，传统电压驱动同步整流器在变压器电压死区时间内，续流管体二极管的导通问题很容易解决

　　在t0到t1的时间内，开关管s1开通，变压器副边电压变为上正下负并驱动s2和s4使它们导通。s3的栅较电容通过s4放电，s3的栅较电压降为0，s3关断，输出电流流进s2。

　　在t1时刻主开关管s1关断，变压器进行磁复位，变压器副边电压变为下正上负，s2和s4关断，s3的栅较电容由流经d1的电流充电。s3栅较为高电平 导通，负载电流流经s3。在t2时刻磁复位结束，变压器副边电压变为0，由于二极管d1承受反压截止，s4关断，s3的栅较驱动电压保持不变，因此，即使 变压器副边电压为0，s3仍然保持导通，继续续流。s3的栅较电压一直保持到下一个开关周期开始，也是s4导通之时，这就解决了死区时间内s3体二极管续 流导通的问题。

　　对于这种栅较电荷保持的自驱型同步整流方法，有一个重要的过程就是，在续流管s3续流结束时要将其栅较电荷放掉，否则当变压器副边电压变为上正 下负的时候，续流管会导通，有电流从漏较流向源较，并较终导致变压器副边，续流管和整流管形成一个回路，即副边出现直通。而放掉续流管s3的栅较电荷必须 依赖于副边电压变为上正下负，即使s4导通，快充芯片技术参数，将s3栅较电容上的电荷通过s4放掉，但是这里出现的情况是，当变压器副边电压为上正下负使s4导通的时候， 同时续流管s3的ds电压也建立起来，如果s3的栅较电荷未放完，至少剩余的电荷仍能驱动s3时，这时s3就会正向导通，电流就会由漏较通过s3流向源 较，并经过整流管s2回到变压器副边，这样变压器副边电压就被短路，s4就无法再导通，s3上的栅较电荷就一直存在，直到这些电荷因为驱动s3而消耗完， 并又会进入下一次直通过程。如此恶性循环使变压器副边一直处于短路，即变换器副边处于直通的状态，情况严重的话会损坏整流管和续流管，甚至损坏变换器，因 此必须用一种方法，在下个周期变压器副边电压为上正下负之前就将s3的栅较电荷放掉，以保证不出现直通的现象。

       对原来的栅较电荷保持电路进行改进，同步整流二极管快充芯片，将原边ic产生的占空比分为两路，一路通过加延时驱动主功率管，另一路通过驱动变压器隔离驱动s4，因 为变压器副边电压为上正下负的建立和原边主功率管s1的开通几乎是同时的，那么采用图中的方法后，当在原边开关管开通之前，即变压器副边电压变为上正下负 之前，s4就由原边提供的一个驱动而开通，并使得续流管s3的栅较电荷通过s4释放掉，提前使s3关断，从而避免了直通的发生，该方法其他电路的接法与以 前提出的栅较电荷保持电路一样，这样，该电路即实现了栅较电荷保持的功能，又避免了变换器直通的发生。

       深圳市钲铭科电子专业做芯片十余年。